Акция
Блог
Процитировать
Печать
Электронная почта
ЗакладкаНаука Каждый День (10 февраля 2010) — несметное число кремниевых транзисторов ответственны, чтобы передать информацию относительно микрочипа с сегодняшней технологией. Транзисторы устроены в плоском множестве, то есть лежащей квартире друг рядом с другом, и вниз уже сжались к размеру только приблизительно 50 миллимикронов (1 миллимикрон = 1 миллионная часть 1 миллиметра). Дальнейшая миниатюризация транзисторов с плоской структурой скоро закончится из-за фундаментальных физических пределов. Однако, еще меньшие транзисторы желательны, чтобы непрерывно улучшить их функции, уменьшая стоимость электроники.
- Нанотехнология
- Энергетическая технология
- Электроника
- Информационная технология
- Информатика
- Мобильные вычисления
- Nanowire
- Интегральная схема
- Полупроводник
- Германий
В настоящее время, исследователи упорно трудятся, чтобы найти, что новые подходы преодолевают физические пределы на downscaling и интеграции микрожареного картофеля. Одно такое понятие должно изготовить полностью новую архитектуру транзистора в трех измерениях. В этом понятии вместо того, чтобы устроить их квартира на основании кремниевые транзисторы превращены 90 степенями так, чтобы они придерживались из основания чипа как крошечные колонки. Таким образом, многочисленные вертикальные транзисторы могли быть основаны на области, обычно занимаемой только одним плоским транзистором. Это наконец было бы шагом от микро до наноэлектроники.
Об изготовлении вертикального кремния nanowire множества уже сообщили. Все же должно быть более полное исследование относительно электрических свойств кремния nanowires, чтобы быть в состоянии построить надежные транзисторы для нового поколения микрожареного картофеля. В отличие от обычных транзисторов, электрический ток в этих подобных колонке транзисторах будет вертикальным, и они будут меньшими и более энергосберегающими чем сегодня. Последний, но не в последнюю очередь, есть большие надежды изготовить чрезвычайно эффективные солнечные ячейки, используя кремний nanowires.
Исследователи Макса Планка в Галле производят монокристаллический кремний nanowires, которые являются особенно подходящими как компоненты для микрожареного картофеля. В центре луча иона FZD иностранные атомы, известные, поскольку, 'допанты' внедрены в nanowires. Допанты занимают участки решетки полупроводника хозяина, увеличивающего электрическую проводимость и электрический ток через полупроводник. Отборное внедрение различных допантов может изменить полярность авиакомпаний обвинения в транзисторе, приводящем к переключению электрического тока. Плоская кремниевая технология хорошо развита; однако, это не верно для кремния nanostructures." Во-первых, мы проанализировали провода с диаметром 100 миллимикронов и 300 миллимикронов в длине. Но к чему мы стремимся, провода с диаметром нескольких атомов только, так же как провода, где отдельные атомы натянуты вместе. Мы намереваемся близко характеризовать их поведение в материалах и хотеть узнать, как их электрические свойства могут быть скроены для заявления в наноэлектронике, например, для новых транзисторов полевого эффекта," скажите физики доктор Райнхард Кэглер FZD и доктор Ксин Оу.
nanowires были исследованы в Rossendorf использование техники (Просматривающий Распространяющуюся Микроскопию Сопротивления, SSRM), который обычно измеряет положение - зависимое электрическое удельное сопротивление в особенно готовом двумерном поперечном сечении nanowire. Удельное сопротивление связано с атомной концентрацией допантов. В текущей работе исследователи нашли, что допанты в кремнии nanowire, а именно, боре и phorphorus, не остаются, где они ожидаются, но дрейф на поверхность nanowire, где они становятся частично бездействующими и больше не могут поспособствовать электрической проводимости. Вплоть до сих пор ученые испытывали недостаток в соответствующей технике, чтобы визуализировать и определить количество последствий неравного распределения допантов в nanoscale. Проектировщики чипа должны обратить внимание на недавно найденные результаты, если nanowires должны проситься для вертикальных транзисторов в будущем.
Источник Истории:
Приспособленный от материалов, обеспеченных Дрезденским Rossendorf Forschungszentrum.
Ссылка Журнала:
- Ou и др. Авиакомпания, Копировальная из Человека Сиа Нэноуиреса, Просматривая Распространяющуюся Микроскопию Сопротивления. Письма Nano, 2010; 10 (1): 171 ДОИ: 10.1021/nl903228s
Отметьте: Если никакому автору не дают, источник процитирован вместо этого.
увеличить
Новый Материал Для Компьютерных микросхем Nanoscale 
Понимание Механических Свойств Кремниевого Nanowires Прокладывает Путь для Nanodevices 
Блестящий Рост Без Золота: Новые Методы Для Производства
Nanowires От Кремния 
Ключ Nanowires к Будущим
Транзисторам, Электронике 